0.5μmエミッタInP HBTの高電流注入による電気的特性変動と半導体層劣化の観察

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26a-P6-17

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3309

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

0.5μmエミッタInP HBTの高電流注入による電気的特性変動と半導体層劣化の観察

*深井佳乃, 栗島賢二, 柏尾典秀, 井田実

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キーワード: 26a-P6-17, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, HBT, 高電流密度動作, 半導体層劣化

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