MOCVD成長により形成したAlN/GaN超格子バリア層を有するHJ-FETの電流コラプス特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 27a-P9-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3316

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

MOCVD成長により形成したAlN/GaN超格子バリア層を有するHJ-FETの電流コラプス特性

*坂村祐一, 川島宏幸, 井手利英, 清水三聡, 朴冠錫, 矢野良樹, 生方映徳

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キーワード: 27a-P9-6, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, 超格子, 電流コラプス

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