窒素デルタドーピングを用いたGaNAs量子井戸の窒素濃度制御

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 25p-BQ-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3570

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

窒素デルタドーピングを用いたGaNAs量子井戸の窒素濃度制御

*間野高明, 定昌史, 黒田隆, Martin Elborg, 野田武司, 杉本喜正, 迫田和彰

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キーワード: 25p-BQ-1, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, 窒素ドーピング, 分子線エピタキシー, 量子井戸

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