6H-SiC (0001)基板上2H-AlN成長層における貫通転位の発生機構

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 25p-BY-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3640

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

6H-SiC (0001)基板上2H-AlN成長層における貫通転位の発生機構

*奥村宏典, 木本恒暢, 須田淳

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キーワード: 25p-BY-11, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, TEM

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