Si(100)基板上に形成したSiO<sub>2</sub>/歪みSi<sub>1-x</sub>C<sub>x</sub>構造の界面準位密度評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 27p-KF-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3757

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

Si(100)基板上に形成したSiO₂/歪みSi_1-xC_x構造の界面準位密度評価

*矢崎祐耶, 古川洋志, 井上樹範, 有元圭介, 山中淳二, 中川清和, 宇佐美徳隆, 森谷敦, 井ノ口泰啓, 国井泰夫

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キーワード: 27p-KF-4, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, Si1-xCx混晶, ヘテロ構造, 半導体

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