SiC基板上エピタキシャルグラフェンの成長過程に及ぼすB原子ドープの効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第58回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 26p-BM-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.1.0_3962

会議情報

主催: 社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 58

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2011/03/24 - 2011/03/27

SiC基板上エピタキシャルグラフェンの成長過程に及ぼすB原子ドープの効果

*小此木佑太, 青木悠樹, 平山博之

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キーワード: 26p-BM-14, ナノカーボン, 成長技術, graphene

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