水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>形成技術

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第72回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 1p-M-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2378

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

水素ラジカルによる選択加熱現象を利用した多結晶Si_1-xGe_x形成技術

*川口裕樹, 荒井哲司, 中村浩之, 有元圭介, 山中淳二, 佐藤哲也, 高松利行, 中川清和, 澤野憲太郎, 星裕介, 白木靖寛

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キーワード: 1p-M-11, 半導体A（シリコン）, Siプロセス技術, Si, SiGe, 半導体

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