応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第72回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 1p-P10-18
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

ポリシリコンチャネルFinFET及びTri-gateフラッシュメモリの電気特性ばらつき評価
*Yongxun Liu, 亀井 貴弘, 松川 貴, 遠藤 和彦, 大内 真一, 塚田 順一, 山内 洋美, 石川 由紀, 林田 哲郎, 坂本 邦博, 小椋 厚志, 昌原 明植
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キーワード: 1p-P10-18, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, ばらつき, フラッシュメモリ, ポリシリコンチャネル
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