プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜の成長条件が及ぼす長波長域PL発光特性への影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第72回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 30a-ZE-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2867

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜の成長条件が及ぼす長波長域PL発光特性への影響

*淀徳男, 吉田福蔵, 原田義之

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キーワード: 30a-ZE-4, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, InN

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