RF-MBE法による(111)Si基板上InGaNナノワイヤ成長II

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第72回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 30p-ZE-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_2878

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

RF-MBE法による(111)Si基板上InGaNナノワイヤ成長II

*田畑拓也, 白知鉉, 本田善央, 山口雅史, 天野浩

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キーワード: 30p-ZE-2, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, InGaN, MBE, ナノワイヤ

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