Cat-CVD法によるSiN<sub>x</sub>/a-Si積層膜がc-Siに対し高パッシベーション特性を有する原因の究明

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第72回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 2a-ZH-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_3132

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

Cat-CVD法によるSiN_x/a-Si積層膜がc-Siに対し高パッシベーション特性を有する原因の究明

*小山晃一, 東嶺孝一, 加藤和也, 大平圭介, 大塚信雄, 松村英樹

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キーワード: 2a-ZH-8, 非晶質・微結晶, シリコン系太陽電池, SiNx, パッシベーション, 走査透過電子顕微鏡

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