ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによる<i>c</i> 面GaN 上へのルチル/アナターゼTiO<sub>2</sub>:Nb 薄膜の結晶相選択成長(2)

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第72回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 31a-ZK-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2011.2.0_904

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 72

開催地: 山形大学

開催日: 2011/08/29 - 2011/09/02

ヘリコン波励起プラズマスパッタエピタキシーによるc 面GaN 上へのルチル/アナターゼTiO₂:Nb 薄膜の結晶相選択成長(2)

*羽豆耕治, 中山徳行, 田中明和, 秩父重英

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キーワード: 31a-ZK-2, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 透明導電性酸化物

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