Al/HfO<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/In<sub>0.53</sub>Ga<sub>0.47</sub>As MISCAPにおける界面特性とEOTに対するAl<sub>2</sub>O<sub>3</sub>膜厚の影響

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17p-A4-18

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_2966

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

Al/HfO₂/Al₂O₃/In_0.53Ga_0.47As MISCAPにおける界面特性とEOTに対するAl₂O₃膜厚の影響

*小田穣, 入沢寿史, 上牟田雄一, 手塚勉

著者情報

キーワード: 17p-A4-18, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, ALD, HfO2/Al2O3, InGaAs

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2012 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top