Si(111)上に高品質成長したFe<sub>3</sub>Si薄膜の室温スピン偏極率の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 16a-E1-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3127

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

Si(111)上に高品質成長したFe₃Si薄膜の室温スピン偏極率の検討

*藤田裕一, 山田晋也, 前田雄也, 沖宗一郎, 宮尾正信, 浜屋宏平

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キーワード: 16a-E1-8, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 探索的材料物性, エピタキシャル薄膜, スピン偏極率, トンネル磁気抵抗

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