Si基板上へのCdF<sub>2</sub>成長におけるエピタキシャルシリサイドバッファ層の化学反応抑制効果の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 16a-E1-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3129

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

Si基板上へのCdF₂成長におけるエピタキシャルシリサイドバッファ層の化学反応抑制効果の検討

*萱沼良介, 田村智晃, 高橋慶太, 筒井一生

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キーワード: 16a-E1-10, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 探索的材料物性, エピタキシャル成長, 弗化物

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