Investigation of AlN/AlGaN/GaN MIS-HFET by temperature-dependent measurements of frequency dispersion in C-V characteristics

セッションID: 17a-E3-9

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

Investigation of AlN/AlGaN/GaN MIS-HFET by temperature-dependent measurements of frequency dispersion in C-V characteristics

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キーワード: 17a-E3-9, MIS-HFET

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