自立GaN基板上の耐圧2kV超pn接合ダイオード

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17a-E3-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3257

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

自立GaN基板上の耐圧2kV超pn接合ダイオード

*畠山義智, 野本一貴, 金田直樹, 河野敏弘, 土屋忠厳, 三島友義, 中村徹

著者情報

キーワード: 17a-E3-11, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超高速・機能デバイス, パワー半導体デバイス, 絶縁破壊電圧, 窒化ガリウム

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2012 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top