GaAs上のInAs量子ドット形成におけるRHEED強度変化のAs流量依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 16p-A8-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3474

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

GaAs上のInAs量子ドット形成におけるRHEED強度変化のAs流量依存性

*下村憲一, 白坂健生, Tex David, 神谷格

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キーワード: 16p-A8-10, 結晶工学, III-V族エピタキシャル結晶, InAs 量子ドット, RHEED

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