プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜の成長条件が及ぼす長波長域PL発光特性への影響II

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17a-B10-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3588

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

プラズマダメージ低減ECR-MBE法で作製したSi基板上InN薄膜の成長条件が及ぼす長波長域PL発光特性への影響II

*淀徳男, 原田義之

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キーワード: 17a-B10-5, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, ECR-MBE法, InN, Si基板

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