InN overgrowth through in situ AlN nano-mask on sapphire substrate

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

セッションID: 17a-B10-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3590

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

InN overgrowth through in situ AlN nano-mask on sapphire substrate

*王科, 荒木努, 武内道一, 山口智広, 名西やすし

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キーワード: 17a-B10-7, InN, MBE, Nitride semiconductor

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© 2012 The Japan Society of Applied Physics

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