Ar雰囲気での加熱による微傾斜SiC表面上のグラフェン成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第59回春季応用物理学関係連合講演会

セッションID: 17a-A3-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.1.0_3940

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 春季応用物理学関係連合講演会

回次: 59

開催地: 早稲田大学

開催日: 2012/03/15 - 2012/03/18

Ar雰囲気での加熱による微傾斜SiC表面上のグラフェン成長

*日比野浩樹, 宗高大和, 井上仁人, 高村真琴, 影島博之

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キーワード: 17a-A3-3, ナノカーボン, 成長技術, グラフェン, シリコンカーバイド

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