30 kV STEMによるMOS界面の高コントラスト観察の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 11a-PB1-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2681

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

30 kV STEMによるMOS界面の高コントラスト観察の検討

*生頼義久, 砂押毅志, 伊藤寛征, 小柏剛, 揚村寿英, 今野充

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キーワード: 11a-PB1-14, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, STEM, 低加速電圧, SEM, MOS, 薄膜,

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