応用物理学会学術講演会講演予稿集
Online ISSN : 2436-7613
第73回応用物理学会秋季学術講演会
セッションID: 13a-F4-6
会議情報

主催: 公益社団法人 応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

高エネルギーイオンプローブを用いたSOI-SRAMのソフトエラー発生率の生成電荷依存性
*迫間 昌俊, 阿保 智, 増田 直之, 若家 冨士男, 小野田 忍, 牧野 高紘, 平尾 敏雄, 大島 武, 岩松 俊明, 尾田 秀一, 高井 幹夫
著者情報
キーワード: 13a-F4-6, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, SOI, ソフトエラー
会議録・要旨集 フリー

詳細
PDFをダウンロード (153K)
メタデータをダウンロード RIS形式

(EndNote、Reference Manager、ProCite、RefWorksとの互換性あり)

BIB TEX形式

(BibDesk、LaTeXとの互換性あり)

テキスト
メタデータのダウンロード方法
発行機関連絡先
記事の1ページ目
著者関連情報
© 2012 公益社団法人 応用物理学会
前の記事 次の記事
お気に入り & アラート

閲覧履歴
このページを共有する
feedback
 Top