Channel Length Scaling and Surface Nitridation of Silicon Nanocrystals for High Performance Electron Device

セッションID: 14a-F4-3

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

Channel Length Scaling and Surface Nitridation of Silicon Nanocrystals for High Performance Electron Device

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キーワード: 14a-F4-3, Device, Nano

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