Ge/Si量子ドットにおけるキャリア取り出し効率の照射光強度依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 11a-F1-8

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_2901

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

Ge/Si量子ドットにおけるキャリア取り出し効率の照射光強度依存性

*太野垣健, 宇佐美徳隆, 藩伍根, 星裕介, 大井万史, 金光義彦

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キーワード: 11a-F1-8, 半導体B（探索的材料・物性・デバイス）, 超薄膜・量子ナノ構造, 量子ドット

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