<i>m</i>面GaN基板上にNH<sub>3</sub>-MBE成長したAl<sub>0.25</sub>Ga<sub>0.75</sub>Nの時間空間分解CL評価 -GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12p-H10-22

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3301

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

m面GaN基板上にNH₃-MBE成長したAl_0.25Ga_0.75Nの時間空間分解CL評価 -GaN基板のチルトモゼイクが発光特性に及ぼす影響-

*秩父重英, 羽豆耕治, 石川陽一, 田代公則, 古澤健太郎, 長尾哲, 藤戸健史

著者情報

キーワード: 12p-H10-22, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 時間分解分光計測

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2012 公益社団法人応用物理学会

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top