紫外線照射による4H-SiC MOSデバイス特性劣化の波長依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 11p-PB2-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3391

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

紫外線照射による4H-SiC MOSデバイス特性劣化の波長依存性

*池口大輔, 箕谷周平, 中野佑紀, 中村孝, 細井卓治, 志村考功, 渡部平司

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キーワード: 11p-PB2-6, 結晶工学, IV族系化合物, 4H-SiC, MOS, 紫外線照射

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