MBE成長したN doped ZnO薄膜の精密評価〜高抵抗ZnO:Nの挙動〜

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第73回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 12p-PB8-14

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_3758

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

MBE成長したN doped ZnO薄膜の精密評価〜高抵抗ZnO:Nの挙動〜

*政本卓也, 前島隆之, 野田佳佑, 加藤晃司, 夏目龍, 松尾拓朗, 廣江伸哉, 秋山章雅, 行衛孝明, 阿部友紀, 笠田洋文, 安東孝止

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キーワード: 12p-PB8-14, 合同セッション, 合同セッションK「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」, ダブルドナー, 高抵抗ZnO:N, 窒素複合欠陥

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