Molecular beam epitaxy of InN and InN:Mg layers

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

セッションID: 11p-H10-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2012.2.0_51

会議情報

主催: The Japan Society of Applied Physics

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 73

開催地: 愛媛大学・松山大学

開催日: 2012/09/11 - 2012/09/14

Molecular beam epitaxy of InN and InN:Mg layers

*Xinqiang Wang, Shitao Liu, Nan Ma, Bo Shen, Yoshihiro Ishitani, Akihiko Yoshikawa

著者情報

キーワード: 11p-H10-2, Symposium, Growth of In-rich InGaN and its application, InN, MBE

会議録・要旨集フリー

詳細

記事の1ページ目

著者関連情報

© 2012 The Japan Society of Applied Physics

お気に入り & アラート

関連記事

閲覧履歴

Top