Air-Gapゲート構造を用いた酸化物界面のキャリア濃度変調

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 28p-F2-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_1274

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

Air-Gapゲート構造を用いた酸化物界面のキャリア濃度変調

*反保智貴, 小塚裕介, Joseph Falson, 塚﨑敦, 川﨑雅司

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キーワード: 28p-F2-4, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, Air-Gap, FET, ZnO

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