TFET におけるトンネル機構の考察:サブスレッショルド特性の温度変化

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 29a-G9-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2762

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

TFET におけるトンネル機構の考察:サブスレッショルド特性の温度変化

*森貴洋, 宮田典幸, 福田浩一, 森田行則, 前田辰郎, 大内真一, 柳永勛, 昌原明植, 安田哲二, 太田裕之

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キーワード: 29a-G9-2, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, トンネルトランジスタ

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