二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 29p-G9-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2776

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価

*内田貴史, 竹中浩人, 吉岡勇, 有田正志, 藤原聡, 高橋庸夫

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キーワード: 29p-G9-5, 半導体A（シリコン）, Siデバイス／集積化技術, シリコン, 単電子トランジスタ, 二重量子ドット

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