次世代TCAD(3) 半導体材料のための第一原理計算

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 28p-G7-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_2781

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

次世代TCAD(3) 半導体材料のための第一原理計算

*岡崎一行, 西原慧径, 小池秀耀

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キーワード: 28p-G7-3, 半導体A（シリコン）, シミュレーション, TCAD, 第一原理計算, 半導体

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