近接昇華法による各種面方位サファイア基板上のAgGaTe<sub>2</sub>作製

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 27p-G19-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3069

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

近接昇華法による各種面方位サファイア基板上のAgGaTe₂作製

*宇留野彩, 小林正和

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キーワード: 27p-G19-6, 結晶工学, II-VI族結晶, カルコパイライト, サファイア, 近接昇華法

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