Si(110)基板上へのGaN薄膜成長と中間層の効果

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 30a-G21-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3231

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

Si(110)基板上へのGaN薄膜成長と中間層の効果

*近藤尭之, 上野耕平, 太田実雄, 藤岡洋

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キーワード: 30a-G21-5, 結晶工学, III-V族窒化物結晶, 歪

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