カーボン・サーファクタントを用いたSi基板上の緩和Ge薄膜成長の検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第60回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 27a-G20-1

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.1.0_3245

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 60

開催地: 神奈川工科大学

開催日: 2013/03/27 - 2013/03/30

カーボン・サーファクタントを用いたSi基板上の緩和Ge薄膜成長の検討

*伊藤友樹, 畠山真慈, 松尾拓哉, 鷲尾勝由

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キーワード: 27a-G20-1, 結晶工学, IV族結晶，IV-IV族混晶, サーファクタント

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