遷移金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるスイッチング速度のフィラメント温度依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19a-P3-22

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2244

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

遷移金属酸化物抵抗変化型メモリにおけるスイッチング速度のフィラメント温度依存性

*小石遼介, 森山拓洋, 木村康平, 岸田悟, 木下健太郎

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キーワード: 19a-P3-22, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, フィラメント温度, ReRAM, スイッチング速度

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