領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(211)Bマスク基板上への面内配向InAsナノワイヤの形成

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第74回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-P2-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2013.2.0_2641

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 74

開催地: 同志社大学

開催日: 2013/09/16 - 2013/09/20

領域選択分子線エピタキシーによるGaAs(211)Bマスク基板上への面内配向InAsナノワイヤの形成

*赤堀誠志, 村上達也, 山田省二

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キーワード: 19p-P2-5, 応用物性, ナノワイヤ・ナノ粒子, InAs, ナノワイヤ, 領域選択MBE

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