GaN (0001) 表面におけるトリメチルアルミニウム分子吸着の理論的研究

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-D8-9

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2717

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

GaN (0001) 表面におけるトリメチルアルミニウム分子吸着の理論的研究

*近田旬佑, 高尾将和, 本多敦史, 檜貝信一, 白露幸祐, 藤井高志

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キーワード: 18p-D8-9, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, トリメチルアルミニウム, 分子吸着, 第一原理計算

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