低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用（Ⅲ）

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 18p-PA12-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2850

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

低誘電率SiCN膜の不揮発性メモリデバイスへの応用（Ⅲ）

*伊藤佳奈, 内藤慎二, 小林清輝

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キーワード: 18p-PA12-7, 半導体A（シリコン）, デバイス/集積化技術, SiCN, 不揮発性メモリ

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