FLA法を用いて作製した短チャネル多結晶Ge p-/n-MOSFETの実証

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-F12-16

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_2882

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

FLA法を用いて作製した短チャネル多結晶Ge p-/n-MOSFETの実証

*臼田宏治, 鎌田善己, 上牟田雄一, 森貴洋, 小池正浩, 手塚勉

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キーワード: 19p-F12-16, 半導体A（シリコン）, デバイス/集積化技術, 多結晶, Ge, MOSFET

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