SiCトレンチMOSFETの移動度解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 17a-PG3-10

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3431

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

SiCトレンチMOSFETの移動度解析

*朽木克博, 河路佐智子, 渡辺行彦, 宮原真一朗, 斎藤順

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キーワード: 17a-PG3-10, 結晶工学, IV族系化合物, 炭化ケイ素, 移動度, 電界効果トランジスタ

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