炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング(2) -照射欠陥形成におけるドーズ量、サイズ依存性-

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第61回応用物理学会春季学術講演会

セッションID: 19p-F9-11

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.1.0_3494

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会春季学術講演会

回次: 61

開催地: 青山学院大学

開催日: 2014/03/17 - 2014/03/20

炭素クラスターイオン照射によるSiウェーハの近接ゲッタリング(2) -照射欠陥形成におけるドーズ量、サイズ依存性-

*奥山亮輔, 門野武, 岩永卓朗, 古賀祥泰, 奥田秀彦, 栗田一成

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キーワード: 19p-F9-11, 結晶工学, 結晶評価，不純物，結晶欠陥, クラスターイオン, シリコン

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