表面活性化接合を用いたIII–V/SOIハイブリッド光デバイスにおけるIII–V層部分エッチングプロセスの検討

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18a-A18-3

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_1082

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

表面活性化接合を用いたIII–V/SOIハイブリッド光デバイスにおけるIII–V層部分エッチングプロセスの検討

*鈴木純一, 林侑介, 久能雄輝, 姜晙炫, 雨宮智宏, 西山伸彦, 荒井滋久

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キーワード: 18a-A18-3, 光・フォトニクス, シリコンフォトニクス, シリコンフォトニクス, ハイブリッド集積, 直接接合

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