同一ReRAMフィラメントに対する抵抗スイッチング特性の電極材料依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20a-A10-6

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_1281

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

同一ReRAMフィラメントに対する抵抗スイッチング特性の電極材料依存性

*高相圭, 岸田悟, 木下健太郎

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キーワード: 20a-A10-6, 薄膜・表面, 酸化物エレクトロニクス, 抵抗変化メモリ, AFM, Electrode material

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