RF-MBE法によるα-In2O3/Sapphire上への窒化物半導体成長

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 19p-C5-5

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_176

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

RF-MBE法によるα-In2O3/Sapphire上への窒化物半導体成長

*荒木努, 増田直, 小林知樹, 名西憓之, 織田真也, 人羅俊実

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キーワード: 19p-C5-5, シンポジウム, 窒化物半導体特異構造の科学〜物性評価と結晶学の構築へ〜, GaN, InN, MBE

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