低誘電率SiCN電荷捕獲層の正孔捕獲特性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 20a-PA3-4

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2677

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

低誘電率SiCN電荷捕獲層の正孔捕獲特性

*田中伸, 内藤慎二, 小林清輝

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キーワード: 20a-PA3-4, 半導体A（シリコン）, 絶縁膜技術, SiCN, 電荷捕獲, 不揮発性メモリデバイス

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