Bi 原子細線をドーパント源とするSi 結晶中のBiδドーピング法：　EXAFSによるドーピング機構解明

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18a-A19-2

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2698

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

Bi 原子細線をドーパント源とするSi 結晶中のBiδドーピング法：　EXAFSによるドーピング機構解明

村田晃一, 新田清文, 宇留賀朋哉, 寺田靖子, 日塔光一, 坂田修身, *三木一司

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キーワード: 18a-A19-2, 半導体A（シリコン）, Siプロセス・配線・MEMS・集積化技術, ドーピング, ナノ構造, シリコン

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