HfOx抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性の酸化物膜厚依存性

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 17p-A16-12

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2782

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

HfOx抵抗変化メモリにおけるスイッチング特性の酸化物膜厚依存性

*伊藤大介, 大塚慎太郎, 濱田佳典, 清水智弘, 新宮原正三

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キーワード: 17p-A16-12, 半導体A（シリコン）, デバイス／集積化技術, 抵抗変化メモリ

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