微細バルクトランジスタの線形領域と飽和領域におけるランダムテレグラフノイズ(RTN) の統計分布解析

応用物理学会学術講演会講演予稿集

Online ISSN : 2436-7613

第75回応用物理学会秋季学術講演会

セッションID: 18a-A16-7

DOI https://doi.org/10.11470/jsapmeeting.2014.2.0_2791

会議情報

主催: 公益社団法人応用物理学会

会議名: 応用物理学会秋季学術講演会

回次: 75

開催地: 北海道大学

開催日: 2014/09/17 - 2014/09/20

微細バルクトランジスタの線形領域と飽和領域におけるランダムテレグラフノイズ(RTN) の統計分布解析

*川上誠純, 水谷朋子, 更屋拓哉, 小林正治, 平本俊郎

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キーワード: 18a-A16-7, 半導体A（シリコン）, デバイス／集積化技術, RTN, MOSFET, ばらつき

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